Erratum: Random deposition as a growth mode in atomic layer deposition (Chemical Vapor Deposition (2004) 10 (159))

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Comment/debate › Scientific › vertaisarvioitu

Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	234
Sivumäärä	1
Julkaisu	Chemical Vapor Deposition
Vuosikerta	11
Numero	5
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1002/cvde.200590011
Tila	Julkaistu - toukok. 2005
OKM-julkaisutyyppi	B1 Kirjoitus tieteellisessä aikakauslehdessä

Pääsy asiakirjaan

@article{a34a70495ab14bdf963afd3b05fcc00f,

title = "Erratum: Random deposition as a growth mode in atomic layer deposition (Chemical Vapor Deposition (2004) 10 (159))",

author = "Puurunen, {Riikka L.}",

year = "2005",

month = may,

doi = "10.1002/cvde.200590011",

language = "English",

volume = "11",

pages = "234",

journal = "Chemical Vapor Deposition",

issn = "0948-1907",

publisher = "Wiley-VCH Verlag",

number = "5",

}

TY - JOUR

T1 - Erratum

T2 - Random deposition as a growth mode in atomic layer deposition (Chemical Vapor Deposition (2004) 10 (159))

AU - Puurunen, Riikka L.

PY - 2005/5

Y1 - 2005/5

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=22444442356&partnerID=8YFLogxK

U2 - 10.1002/cvde.200590011

DO - 10.1002/cvde.200590011

M3 - Comment/debate

AN - SCOPUS:22444442356

SN - 0948-1907

VL - 11

SP - 234

JO - Chemical Vapor Deposition

JF - Chemical Vapor Deposition

IS - 5

ER -