Epitaxial growth of GaAs on silicon-on-ilsulator

Tutkimustuotos: Työpaperi

Tutkijat

  • J. Riikonen
  • L. Knuuttila
  • T. Tuomi
  • Harri Lipsanen

  • P.J. McNally
  • J. Kanatharana
  • W. Chen
  • D. Lowney
  • A.N. Danilewsky

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisupaikkaHampuri
Sivut859-860
TilaJulkaistu - 2001
OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

Julkaisusarja

NimiHASYLAB-DESY Annual Report 2000, Part I

    Tutkimusalat

  • GaAs, MOVPE, silicon-on-insulator, SOI

ID: 4133067