Epi-Gd2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT on 150 mm Si wafer: A fully epitaxial system for high power application

Ritam Sarkar, S. Bhunia, D. Nag, B. C. Barik, K. Das Gupta, D. Saha, S. Ganguly, Apurba Laha*, Jori Lemettinen, Christoffer Kauppinen, Iurii Kim, Sami Suihkonen, Philipp Gribisch, Hans Jörg Osten

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)
14 Lataukset (Pure)

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Epi-Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/AlGaN/GaN MOS HEMT on 150 mm Si wafer: A fully epitaxial system for high power application'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Physics & Astronomy