Epi-Gd2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT on 150 mm Si wafer: A fully epitaxial system for high power application

Ritam Sarkar, S. Bhunia, D. Nag, B. C. Barik, K. Das Gupta, D. Saha, S. Ganguly, Apurba Laha*, Jori Lemettinen, Christoffer Kauppinen, Iurii Kim, Sami Suihkonen, Philipp Gribisch, Hans Jörg Osten

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)
13 Lataukset (Pure)

Laitteet

OtaNano

Anna Rissanen (Manager)

Aalto-yliopisto

Laitteistot/tilat: Facility