Enhanced 1.3 µm luminescence from InGaAs self-assembled quantum dots with a GaAsN strain-compensating layer

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli085029
Sivut1-4
Sivumäärä4
JulkaisuSemiconductor Science and Technology
Vuosikerta26
Numero8
TilaJulkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 883482