Elimination of LID by Black Silicon

Alkuperäiskieli	Englanti
Julkaisu	TaiyangNews
Tila	Julkaistu - 18 helmik. 2019
OKM-julkaisutyyppi	D1 Artikkeli ammattilehdessä

YK:n kestävän kehityksen tavoitteet

Tämä tuotos edistää seuraavia kestävän kehityksen tavoitteita:

1. 
   SDG 7 – Edullinen ja puhdas energia

Pääsy asiakirjaan

• http://taiyangnews.info/opinion/elimination-of-lid-by-black-silicon/

Projektit

!!Projects per year 2015 2015 2018

• 1 Päättynyt

!!Projects per year

• Black silicon and defect engineering for highly efficient solar cells and modules, BLACK

  Savin, H. (Vastuullinen johtaja), Pasanen, T. (Projektin jäsen), Laine, H. (Projektin jäsen), Vähänissi, V. (Projektin jäsen), Modanese, C. (Projektin jäsen), Liu, Z. (Projektin jäsen), Serue, M. (Projektin jäsen), Rauha, I. (Projektin jäsen), Yli-Koski, M. (Projektin jäsen), Haarahiltunen, A. (Projektin jäsen) & von Gastrow, G. (Projektin jäsen)

  01/03/2015 → 28/02/2018

  Projekti: Business Finland: Other research funding

  • silicon 100%
  • Silicon 92%
  • Solar Cell 52%
  • surfaces 37%
  • phosphorus 30%

Laitteet

• OtaNano

  Rissanen, A. (Manager)

  Aalto-yliopisto

  Laitteistot/tilat: Facility

  • layers 100%
  • surfaces 95%
  • applications 87%
  • devices 66%
  • nanostructures 63%

• OtaNano Nanofab

  Repo, P. (Manager) & Rissanen, A. (Other)

  OtaNano

  Laitteistot/tilat: Facility

  • layers 100%
  • surfaces 83%
  • devices 78%
  • applications 70%
  • silicon 66%

Palkinnot

• 35th EU PVSEC 2018 Student Award

  Pasanen, T. (Recipient), Savin, H. (Vastuuprofessori) & Vähänissi, V. (Ohjaaja), 28 syysk. 2018

  Palkinto: Palkinto tai huomionosoitus tuotoksesta

  • Elimination 100%
  • awards 100%
  • Light-induced Degradation 100%

Aktiviteetit

!!Activities per year 2018 2018 2018

• 1 Konferenssiesitelmä

!!Activities per year

• Elimination of light-induced degradation by black silicon

  Pasanen, T. P. (Puhuja), Modanese, C. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Laine, H. (Kontribuuttori), Wolny, F. (Kontribuuttori), Oehlke, A. (Kontribuuttori), Kusterer, C. (Kontribuuttori), Heikkinen, I. T. S. (Kontribuuttori), Wagner, M. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)

  25 syysk. 2018

  Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

Tutkimustuotos

!!Research output per year 2019 2019 2019

• 1 Article

!!Research output per year

!!Research output per year

• Impact of Black Silicon on Light- and Elevated Temperature-Induced Degradation in Industrial Passivated Emitter and Rear Cells

  Pasanen, T., Modanese, C., Vähänissi, V., Laine, H., Wolny, F., Oehlke, A., Kusterer, C., Heikkinen, I. T. S., Wagner, M. & Savin, H., 21 lokak. 2019, julkaisussa: Progress in Photovoltaics. 27, 11, s. 918-925 14 Sivumäärä

  Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

  Open access

  Tiedosto

  • Induced Degradation 100%
  • Elevated Temperature 100%
  • silicon 100%
  • Emitter 100%
  • Silicon 100%

  10 Sitaatiot (Scopus)

  270 Lataukset (Pure)

Siteeraa tätä

• APA
• Author
• BIBTEX
• Harvard
• Standard
• RIS
• Vancouver

Pasanen, T. (2019). Elimination of LID by Black Silicon. TaiyangNews. http://taiyangnews.info/opinion/elimination-of-lid-by-black-silicon/

Pasanen, Toni. / Elimination of LID by Black Silicon. Julkaisussa: TaiyangNews. 2019.

@article{aaa20df3669340ceba3c9abcf35a7727,

title = "Elimination of LID by Black Silicon",

author = "Toni Pasanen",

year = "2019",

month = feb,

day = "18",

language = "English",

journal = "TaiyangNews",

publisher = "TaiyangNews UG ",

}

Pasanen, T 2019, 'Elimination of LID by Black Silicon', TaiyangNews. <http://taiyangnews.info/opinion/elimination-of-lid-by-black-silicon/>

Elimination of LID by Black Silicon. / Pasanen, Toni.
julkaisussa: TaiyangNews, 18.02.2019.

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Professional

TY - JOUR

T1 - Elimination of LID by Black Silicon

AU - Pasanen, Toni

PY - 2019/2/18

Y1 - 2019/2/18

M3 - Article

JO - TaiyangNews

JF - TaiyangNews

ER -

Pasanen T. Elimination of LID by Black Silicon. TaiyangNews. 2019 helmik. 18.