Elementary Steps on the 4He Crystal Interface Probed by 3He Atoms

V. Tsepelin, J. P. Saramäki, A. V. Babkin*, P. J. Hakonen, J. J. Hyvönen, R. M. Luusalo, A.Ya. Parshin, G. K. Tvalashvili

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

7 Sitaatiot (Scopus)
316 Lataukset (Pure)

Abstrakti

The growth dynamics of c facets, governed by individual Frank-Read type of sources, has been studied at millikelvin temperatures in the presence of small concentrations of 3He atoms in the liquid. We find that in the spiral growth regime, interaction of 3He atoms with moving elementary steps on the surface results in additional friction. Our results are compared with theory, where high-frequency (ω ≥ T/ℏ) zero-point oscillations of the steps are taken into account. There is a good agreement if we assume the amplitude of these oscillations ξ ≈ 5 nm.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut4804-4807
Sivumäärä4
JulkaisuPhysical Review Letters
Vuosikerta83
Numero23
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 6 jouluk. 1999
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Elementary Steps on the 4He Crystal Interface Probed by 3He Atoms'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä