Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Electronically induced trapping of hydrogen by impurities in niobium

  • Matti Manninen*
  • , M. J. Puska
  • , R. M. Nieminen
  • , P. Jena
  • *Tämän työn vastaava kirjoittaja
  • University of Jyväskylä
  • University of Helsinki
  • Virginia Commonwealth University

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

21 Viittaukset (Web of Science)
206 Lataukset (Pure)

Abstrakti

The binding energies of hydrogen and its isotopes to substitutional impurities Ti, Cr, and V in niobium have been calculated. The hydrogen-metal interaction is based on the effective-medium theory. The wave mechanics of the hydrogenic interstitials are explicity dealt with, and the lattice distortion created by the hydrogen is incorporated through the method of lattice statics. The difference in the electronic structure between impurity and host atoms is shown to be largely responsible for the binding of hydrogen to the impurities. The results are in agreement with recent inelastic neutron scattering experiments.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1065-1068
Sivumäärä4
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta30
Numero2
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 15 heinäk. 1984
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Electronically induced trapping of hydrogen by impurities in niobium'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä