Electronic structure and positron states at vacancies in Si and GaAs

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • Max Planck Institute for Solid State Research
  • University of Jyväskylä

Kuvaus

The self-consistent electron structures of the perfect Si and GaAs lattices are calculated by the linear-muffin-tin-orbital (LMTO) band-structure method within the atomic-sphere approximation (ASA). Monovacancies in different charge states are treated by the self-consistent LMTO-ASA Greens-function method. The corresponding positron states are determined by the same methods and positron annihilation characteristics are calculated. The results are compared with recent experiments.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2695-2705
Sivumäärä11
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta34
Numero4
TilaJulkaistu - 15 elokuuta 1986
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 6507786