Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2-300 K

K. D. Mynbaev*, N. L. Bazhenov, A. A. Semakova, M. P. Mikhailova, N. D. Stoyanov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, A. P. Astakhova, A. V. Chernyaev, H. Lipsanen, V. E. Bougrov

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

4 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

The electroluminescence of InAs/InAsSbP and InAsSb/InAsSbP LED heterostructures grown on InAs substrates is studied in the temperature range T = 4.2-300 K. At low temperatures (T = 4.2-100 K), stimulated emission is observed for the InAs/InAsSbP and InAsSb/InAsSbP heterostructures with an optical cavity formed normal to the growth plane at wavelengths of, respectively, 3.03 and 3.55 mu m. The emission becomes spontaneous at T > 70 K due to the resonant "switch-on" of the CHHS Auger recombination process in which the energy of a recombining electron-hole pair is transferred to a hole, with hole transition to the spin-orbit-split band. It remains spontaneous up to room temperature because of the influence exerted by other Auger processes. The results obtained show that InAs/InAs(Sb)/InAsSbP structures are promising for the fabrication of vertically emitting mid-IR lasers.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut239-244
Sivumäärä6
JulkaisuSemiconductors
Vuosikerta51
Numero2
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - helmikuuta 2017
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2-300 K'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä