Electrical compensation by Ga vacancies in Ga2O3  thin films

Esa Korhonen, F. Tuomisto, D. Gogova, G. Wagner, M. Baldini, Z. Galazka, R. Schewski, M. Albrecht

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

161 Sitaatiot (Scopus)
694 Lataukset (Pure)

Abstrakti

The authors have applied positron annihilation spectroscopy to study the vacancy defects in undoped and Si-doped Ga2O3 thin films. The results show that Ga vacancies are formed efficiently during metal-organic vapor phase epitaxy growth of Ga2O3 thin films. Their concentrations are high enough to fully account for the electrical compensation of Si doping. This is in clear contrast to another n-type transparent semiconducting oxide In2O3, where recent results show that n-type conductivity is not limited by cation vacancies but by other intrinsic defects such as Oi.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli242103
Sivut1-3
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta106
Numero24
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2015
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Tutkimusalat

  • Ga2O3
  • positron
  • vacancy

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Electrical compensation by Ga vacancies in Ga2O3  thin films'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä