Electrical compensation and cation vacancies in Al rich Si-doped AlGaN

I. Prozheev*, F. Mehnke, T. Wernicke, M. Kneissl, F. Tuomisto

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

We report positron annihilation results on vacancy defects in Si-doped Al0.90Ga0.10N alloys grown by metalorganic vapor phase epitaxy. By combining room temperature and temperature-dependent Doppler broadening measurements, we identify negatively charged in-grown cation vacancies in the concentration range from below 1 × 10 16 cm-3 to 2 × 10 18 cm-3 in samples with a high C content, strongly correlated with the Si doping level in the samples ranging from 1 × 10 17 cm-3 to 7 × 10 18 cm-3. On the other hand, we find predominantly neutral cation vacancies with concentrations above 5 × 10 18 cm-3 in samples with a low C content. The cation vacancies are important as compensating centers only in material with a high C content at high Si doping levels.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli142103
Sivumäärä5
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta117
Numero14
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 5 lokakuuta 2020
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Electrical compensation and cation vacancies in Al rich Si-doped AlGaN'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä