Efficient terahertz generation by ordered arrays of GaAs nanowires

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

  • V. N. Trukhin
  • A. D. Bouravleuv
  • I. A. Mustafin
  • V. V. Rumyantsev
  • S. V. Morozov
  • D. I. Kuritsyn
  • G. E. Cirlin
  • J. P. Kakko
  • Teppo Huhtio

  • Harri Lipsanen

Organisaatiot

  • St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics (ITMO)
  • St. Petersburg Academic University
  • RAS - Ioffe Physico Technical Institute
  • Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Kuvaus

THz generation under the excitation by ultrashort optical pulses from ordered arrays of GaAs nanowires is reported. It was found that the efficiency of THz radiation generation increases due to the resonant leaky mode excitation in nanowires. The THz generation mechanisms have been identified. It is shown that the efficiency of the terahertz generation at optimum geometrical parameters of an array of semiconductor nanowires is greater than the corresponding value for bulk semiconductor p-InAs, which is the most effective THz emitter.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko41st International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2016
TilaJulkaistu - 28 marraskuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaInternational Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves - Copenhagen, Tanska
Kesto: 25 syyskuuta 201630 syyskuuta 2016
Konferenssinumero: 41

Julkaisusarja

NimiInternational Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
KustantajaIEEE
ISSN (painettu)2162-2027
ISSN (elektroninen)2162-2035

Conference

ConferenceInternational Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves
LyhennettäIRMMW-THz
MaaTanska
KaupunkiCopenhagen
Ajanjakso25/09/201630/09/2016

ID: 10713585