Effects of Various Pre-Intrinsic and Phosphorus Diffusion Gettering Effects Upon Quality of Czochralski Silicon Wafer Surface during a Simulated 4 Megabit Dynamic Random Acces Memory Process

Jari Partanen, T. Tuomi, D-Y. Yang, H.G. Lee, O.H. Kim, Sookap Hahn

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut1431-1437
    JulkaisuJournal of the Electrochemical Society
    Vuosikerta139
    TilaJulkaistu - 1992
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • gettering
    • silicon processing
    • synchrotron radiation

    Siteeraa tätä