Effects of heavy ion and proton irradiation on a SLC NAND flash memory

Lucas Matana Luza, Alexandre Bosser, Viyas Gupta, Arto Javanainen, Ali Mohammadzadeh, Luigi Dilillo

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

73 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Space applications frequently use flash memories for mass storage data. However, the technology applied in the memory array and peripheral circuity are not inherently radiation tolerant. This work introduces the results of radiation test campaigns with heavy ions and protons on a SLC NAND Flash. Static tests showed different failures types. Single events upsets and raw error cross sections were presented, as well as an evaluation of the occurrences of the events. Characterization of effects on the embedded data registers was also performed.

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2019 IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems, DFT 2019
KustantajaIEEE
ISBN (elektroninen)978-1-7281-2260-1
ISBN (painettu)978-1-7281-2261-8
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 lokakuuta 2019
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaIEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems - Noordwijk, Alankomaat
Kesto: 2 lokakuuta 20194 lokakuuta 2019
Konferenssinumero: 32

Julkaisusarja

Nimi Proceedings : IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI Systems
ISSN (painettu)1550-5774
ISSN (elektroninen)2377-7966

Conference

ConferenceIEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems
LyhennettäDFT
MaaAlankomaat
KaupunkiNoordwijk
Ajanjakso02/10/201904/10/2019

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Effects of heavy ion and proton irradiation on a SLC NAND flash memory'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä