Effects of electrostatic confinement in a silicon single-electron pump

A. Rossi*, T. Tanttu, K. Y. Tan, R. Zhao, K. W. Chan, I. Iisakka, G. C. Tettamanzi, S. Rogge, M. Möttönen, A. S. Dzurak

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

Nanoscale single-electron pumps could serve as the realization of a new quantum standard of electrical current. Here, a silicon quantum dot with tunable tunnel barriers is used as a source of quantized current. By controlling the electrostatic confinement of the dot via purposely engineered gate electrodes, we show that the robustness of the pumping mechanism can be dramatically enhanced and the detrimental effects due to non-adiabatic transitions are largely reduced. Our pump can produce a current in excess of 80 pA with experimentally determined relative uncertainty lower than 50 parts per million.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoCPEM 2014 - 29th Conference on Precision Electromagnetic Measurements, Digest
KustantajaIEEE
Sivut440-441
Sivumäärä2
ISBN (elektroninen)9781479952052
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 12 syyskuuta 2014
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaConference on Precision Electromagnetic Measurements - Rio de Janeiro, Brasilia
Kesto: 24 elokuuta 201429 elokuuta 2014
Konferenssinumero: 29

Conference

ConferenceConference on Precision Electromagnetic Measurements
LyhennettäCPEM
MaaBrasilia
KaupunkiRio de Janeiro
Ajanjakso24/08/201429/08/2014

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Effects of electrostatic confinement in a silicon single-electron pump'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä