Effects of back-gate bias on switched-capacitor DC-DC converters in UTBB FD-SOI

Matthew J. Turnquist, Guerric De Streel, David Bol, Markus Hiienkari, Lauri Koskinen

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

    3 Sitaatiot (Scopus)

    Abstrakti

    This paper explores the effects of back-gate bias on switched-capacitor (SC) DC-DC converters in 28 nm UTBB FD-SOI. By using back-gate bias to optimize the control circuitry and switches, the SC converter can operate with a peak efficiency of 72% in sleep mode (100 nW load) and 83% in active mode (100 μW load).

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Otsikko2014 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, S3S 2014
    KustantajaIEEE
    ISBN (elektroninen)9781479974382
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 30 tammikuuta 2014
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
    TapahtumaIEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference - Millbrae, Yhdysvallat
    Kesto: 6 lokakuuta 20149 lokakuuta 2014
    http://s3sconference.org/

    Conference

    ConferenceIEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
    LyhennettäS3S
    MaaYhdysvallat
    KaupunkiMillbrae
    Ajanjakso06/10/201409/10/2014
    www-osoite

    Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Effects of back-gate bias on switched-capacitor DC-DC converters in UTBB FD-SOI'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä