Effect of the Interface Roughness on the Resonant Tunneling Diode Current

H.Y. Sheng, J. Sinkkonen

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko15th Nordic Semiconductor Meeting, Hämeenlinna, June 8-11, 1992
Sivut211-214
TilaJulkaistu - 1992
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

Tutkimusalat

  • resonant tunneling

Siteeraa tätä