Effect of silicon on the elastic-plastic transition of GaAs crystal

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • University of Silesia in Katowice
  • University of Helsinki

Kuvaus

Effect of silicon doping on the elastic-plastic transition of GaAs crystal is demonstrated by results of nanoindentations and ab initio simulations. The experiments show that an increase of silicon concentration causes a decrease of the contact pressure at the onset of permanent deformation of GaAs nanovolume. We found the substitutional Si point defects to decrease the pressure of GaAs-I → GaAs-II phase transformation, which proves the elastic-plastic transition of Si-doped GaAs crystal is a phase-change-driven phenomenon.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut31-34
Sivumäärä4
JulkaisuScripta Materialia
Vuosikerta102
TilaJulkaistu - 1 kesäkuuta 2015
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 10212453