Effect of N and B doping on the growth of CVD diamond (100):H(2×1) surfaces

M. Kaukonen, P.K. Sitch, G. Jungnickel, R.M. Nieminen, S. Pöykkö, D. Porezag, Th. Franheim

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

317 Lataukset (Pure)

Abstrakti

The doping of the chemical vapor deposition (CVD)-diamond (100):H(2×1) surface with B and N has been studied using the density-functional tight-binding method. In agreement with recent experimental results, B doping is found to lower the abstraction energies and remove diffusion barriers along the diamond growth pathway proposed by Harris and Goodwin [J. Phys. Chem. 97, 23 (1993)]. In contrast, the Harris-Goodwin mechanism is less favorable with N doping, casting doubt on its validity in this case. We therefore propose a growth pathway on N-doped CVD diamond (100):H(2×1) surfaces. This involves a dimer opening reaction and requires less H abstraction reactions compared to the Harris-Goodwin mechanism.
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut9965-9970
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta57
Numero16
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1998
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Effect of N and B doping on the growth of CVD diamond (100):H(2×1) surfaces'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä