Effect of Mn and Mg dopants on vacancy defect formation in ammonothermal GaN

T. Heikkinen, J. Pavlov, T. Ceponis, E. Gaubas, M. Zając, F. Tuomisto*

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

3 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

We have applied positron annihilation spectroscopy to study the formation of Ga vacancy related defects in Mg and Mn doped bulk GaN crystals grown by the ammonothermal method. We show that Mn doping has little or no effect on the formation of Ga vacancies, while Mg doping strongly suppresses their formation, in spite of both dopants leading to highly resistive material. We suggest the differences are primarily due to the hydrogen-dopant interactions. Further investigations are called for to draw a detailed picture of the atomic scale phenomena in the synthesis of ammonothermal GaN.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli125803
Sivumäärä5
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta547
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 lokakuuta 2020
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Effect of Mn and Mg dopants on vacancy defect formation in ammonothermal GaN'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä