Effect of InP passivation on carrier recombination in In_(x)Ga_(1-x)As/GaAs surface quantum wells

H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Ahopelto, J. Sandmann, J. Feldmann

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Otsikko10th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    KustantajaIEEE
    Sivut549-551
    Sivumäärä3
    ISBN (painettu)0-7803-4220-8
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 1998
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
    TapahtumaInternational Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Tsukuba, Japani
    Kesto: 11 toukokuuta 199815 toukokuuta 1998

    Julkaisusarja

    NimiIEEE CONFERENCE PROCEEDINGS
    KustantajaIEEE
    ISSN (painettu)1092-8669

    Conference

    ConferenceInternational Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    Maa/AlueJapani
    KaupunkiTsukuba
    Ajanjakso11/05/199815/05/1998

    Tutkimusalat

    • GaAs
    • InP
    • quantum wells

    Siteeraa tätä