Effect of InP passivation on carrier recombination in InGaAs/GaAs surface quantum wells

H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Ahopelto, J. Sandman, J. Feldmann

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    6 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut1133-1134
    Sivumäärä2
    JulkaisuJapanese Journal of Applied Physics
    Vuosikerta38
    Numero2B
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 1999
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • optical spectroscopy
    • passivation
    • quantum well

    Siteeraa tätä