Effect of growth temperature on the epitaxial growth of ZnO on GaN by ALD

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut18-22
Sivumäärä5
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta398
TilaJulkaistu - 15 heinäkuuta 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • ALD, positron, vacancy, ZnO

ID: 786394