Effect of growth temperature on the epitaxial growth of ZnO on GaN by ALD

Suvi Särkijärvi, Sakari Sintonen, Filip Tuomisto, Markus Bosund, Sami Suihkonen, Harri Lipsanen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

11 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut18-22
Sivumäärä5
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta398
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 15 heinäkuuta 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • ALD
  • positron
  • vacancy
  • ZnO

Laitteet

OtaNano

Anna Rissanen (Manager)

Aalto-yliopisto

Laitteistot/tilat: Facility

  • Siteeraa tätä