Effect of gating and pressure on the electronic transport properties of crossed nanotube junctions: formation of a Schottky barrier

P. Havu, M.J. Hashemi, M. Kaukonen, E.T. Seppälä, R.M. Nieminen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

9 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuJournal of physics: Condensed matter
Vuosikerta23
Numero11
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • nanotube
  • Schottky

Siteeraa tätä