Effect of different ALD Al2O3 oxidants on the surface passivation of black silicon

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

6 Sitaatiot (Scopus)
126 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We study how different oxidants in atomic layer deposition of aluminium oxide (ALD Al2O3) affect the surface passivation of black silicon. Here we show that processes using ozone cause higher fixed charge but surprisingly lead to lower lifetimes in black silicon samples as compared to water-based samples. In planar samples however, the best surface passivation is reached with O3-based processes. In case of water as oxidant, the planar wafers suffer from severe blistering and poorer surface passivation, while this seems to be the best process for black silicon. To find a reason for the lifetime differences we also study different Al2O3 stacks where both H2O and O3 are used as oxidants. In conclusion, surface texture seems to affect the optimal oxidant in the ALD process.
AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoProceedings of the 6th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (SiliconPV 2016)
ToimittajatPierre-Jean Ribeyron, Andres Cuevas, Arthur Weeber, Christophe Ballif, Stefan Glunz, Jef Poortmans, Rolf Brendel, Armin Aberle, Ron Sinton, Pierre Verlinden, Giso Hahn
KustantajaElsevier
Sivut381-385
Sivumäärä5
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2016
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaInternational Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics - Chambéry, Ranska
Kesto: 7 maaliskuuta 20169 maaliskuuta 2016
Konferenssinumero: 6

Julkaisusarja

NimiEnergy procedia
KustantajaElsevier
Vuosikerta92
ISSN (elektroninen)1876-6102

Conference

ConferenceInternational Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics
LyhennettäSiliconPV
MaaRanska
KaupunkiChambéry
Ajanjakso07/03/201609/03/2016

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Effect of different ALD Al2O3 oxidants on the surface passivation of black silicon'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Laitteet

  • Siteeraa tätä

    Repo, P., & Savin, H. (2016). Effect of different ALD Al2O3 oxidants on the surface passivation of black silicon. teoksessa P-J. Ribeyron, A. Cuevas, A. Weeber, C. Ballif, S. Glunz, J. Poortmans, R. Brendel, A. Aberle, R. Sinton, P. Verlinden, & G. Hahn (Toimittajat), Proceedings of the 6th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (SiliconPV 2016) (Sivut 381-385). (Energy procedia; Vuosikerta 92). Elsevier. https://doi.org/10.1016/j.egypro.2016.07.116