Effect of anode sheet resistance on rise time of black silicon induced junction photodiodes

Juha Heinonen, Antti Haarahiltunen, Ville Vähänissi, Toni P. Pasanen, Hele Savin, Mikko A. Juntunen

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference article in proceedingsScientificvertaisarvioitu

3 Sitaatiot (Scopus)
48 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Black silicon induced junction photodiodes have been shown to have nearly ideal responsivity across a wide range of wavelengths. Another important characteristic of a high-quality photodiode is rise time which can be used to approximate bandwidth of the photodiode. We show experimentally that the rise time of black silicon photodiodes is shorter than in planar photodiodes when alumina layer with similar charge is used to make an induced junction in both. Additionally, we show that the rise time can be rather well approximated using an analytical equation, which combines Elmore delay from equivalent circuit with standard RC-delay arising from series and load resistances.
AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoOptical Components and Materials XIX
KustantajaSPIE
Vuosikerta11997
ISBN (elektroninen)978-1-5106-4866-1
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 4 maalisk. 2022
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaOptical Components and Materials - San Francisco, Yhdysvallat
Kesto: 22 tammik. 202228 helmik. 2022

Julkaisusarja

NimiSPIE Conference Proceedings
KustantajaSPIE
ISSN (painettu)0277-786X

Conference

ConferenceOptical Components and Materials
Maa/AlueYhdysvallat
KaupunkiSan Francisco
Ajanjakso22/01/202228/02/2022

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Effect of anode sheet resistance on rise time of black silicon induced junction photodiodes'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä