Dislocations of GaAs p-i-n diode structures grown by hybride vapour phase epitaxy

Turkka Tuomi, Aapo Lankinen, Antti Säynätjoki, P.J. McNally, Y. Zhilyaev, L. Fedorov

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoThe 6th International Conference on Materials for Microelectronics & Nanoengineering MFMN, 27-29.10.2006, Cranfield, UK
    Sivut130-133
    TilaJulkaistu - 2006
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

    Siteeraa tätä