Dislocations in GaAs p-i-n diodes grown by hydride vapour phase epitaxy

A. Säynätjoki, A. Lankinen, T.O. Tuomi, P.J. McNally, A. Danilewsky, Y. Zhilyaev, L. Fedorov

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    1 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut149-154
    JulkaisuJournal of Materials Science: Materials in Electronics
    Vuosikerta19
    TilaJulkaistu - 2008
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Siteeraa tätä