Dislocation analysis for heat-exchanger method grown sapphire with white beam synchrotron X-ray topography

W.M. Chen, P.J. McNally, Uy.V. "Shvyd'ko", T. Tuomi, A.N. Danilewsky, M. Lerche

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    12 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut113-119
    JulkaisuJournal of Crystal Growth
    Numero252
    TilaJulkaistu - 2003
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • sapphire
    • synchrotron X-ray topography

    Siteeraa tätä