Direct determination of electron mobility in photorefractive Bi 12SiO20 by a holographic time-of-flight technique

J. P. Partanen*, J. M C Jonathan, R. W. Hellwarth

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

41 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

The time development of a photorefractive grating created by intersecting 30 ps (532 nm) beams in a well-characterized Bi12SiO 20 crystal (in a static field around 1 kV/cm) unambiguously reveals the mobility of photoexcited electrons to be 0.24±0.07 cm2/V s through what is essentially a "time-of-flight" measurement.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2404-2406
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta57
Numero23
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1990
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Direct determination of electron mobility in photorefractive Bi <sub>12</sub>SiO<sub>20</sub> by a holographic time-of-flight technique'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä