Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Determination of crystal misorientation in epitaxial lateral overgrowth of GaN

  • Weimin Chen
  • , P.J. McNally
  • , K. Jacobs
  • , T. Tuomi
  • , A.N. Danilewsky
  • , Z.R. Zytkiewicz
  • , D. Lowney
  • , J. Kanatharana
  • , L. Knuuttila
  • , J. Riikonen
    • Dublin City University

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    22 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut94-102
    JulkaisuJournal of Crystal Growth
    Numero243
    TilaJulkaistu - 2002
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Tutkimusalat

    • epitaxial lateral overgrowth
    • gallium nitride
    • sapphire
    • synchrotrron x-ray topography
    • wing tilt
    • x-ray rocking curve

    Siteeraa tätä