Design of an E-band Doherty Power amplifier

Md Najmussadat, Raju Ahamed, Dristy Parveg, Mikko Varonen, Kari A.I. Halonen

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

2 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

This paper demonstrates the design of an E-band Doherty power amplifier (PA) based in an 130nm SiGe BiCMOS process. This design includes main and auxiliary amplifiers, lange coupler and a pre-amplifier. The designed power amplifier exhibits a saturated output power of 14.4 dBm and output referred P1dB of 11.7 dBm. The peak power added efficiency (PAE) of this amplifier is 19.2%. This PA shows PAE of 17% at P1dB and 11.6% at 6-dB output power back off. The peak power gain of this Doherty PA is 23 dB at 75 GHz with a 3-dB bandwidth from 60 to 80 GHz. The designed Doherty PA consumes DC power of 52 mW with a chip area of 900 μm × 800 μm without RF pads.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoPRIME 2018 - 14th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics
KustantajaIEEE
Sivut145-148
Sivumäärä4
ISBN (painettu)9781538653869
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 8 elok. 2018
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaConference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics - Prague, Tshekki
Kesto: 2 heinäk. 20185 heinäk. 2018
Konferenssinumero: 14

Conference

ConferenceConference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics
LyhennettäPRIME
Maa/AlueTshekki
KaupunkiPrague
Ajanjakso02/07/201805/07/2018

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Design of an E-band Doherty Power amplifier'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä