Design of a 240-GHz LNA in 0.13 µm SiGe BiCMOS Technology

Md Najmussadat, Raju Ahamed, Mikko Varonen, Dristy Parveg, Yehia Tawfik, Kari A.I. Halonen

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)
43 Lataukset (Pure)

Abstrakti

In this paper, a seven stage low noise amplifier (LNA) in a 0.13 µm SiGe BiCMOS technology is presented. The LNA has a measured peak gain of 28.5 dB at 240 GHz with a 3-dB bandwidth of 14 GHz. It shows a simulated noise figure of 13.7 dB at 240 GHz. The DC power consumption of this LNA is 97.2 mW with a supply voltage of 3V. This LNA so far represents the highest gain reported in SiGe BiCMOS technology around 240 GHz. The total chip area including the pads of this LNA is 0.45 mm2.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoEuMIC 2020 - 2020 15th European Microwave Integrated Circuits Conference
KustantajaIEEE
Sivut17-20
Sivumäärä4
ISBN (elektroninen)9782874870606
TilaJulkaistu - 10 tammikuuta 2021
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaEuropean Microwave Integrated Circuits Conference - Utrecht, Alankomaat
Kesto: 11 tammikuuta 202112 tammikuuta 2021
Konferenssinumero: 15

Conference

ConferenceEuropean Microwave Integrated Circuits Conference
LyhennettäEuMIC
Maa/AlueAlankomaat
KaupunkiUtrecht
Ajanjakso11/01/202112/01/2021

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Design of a 240-GHz LNA in 0.13 µm SiGe BiCMOS Technology'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä