Dependence of the Anisotropy of Wet Chemical Etching of Silicon on the Amount of Surface Coverage by OH Radicals

Miguel A. Gosálvez, Adam S. Foster, Risto M. Nieminen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

4 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut53-65
Sivumäärä13
JulkaisuSensors and Materials
Vuosikerta15
Numero2
TilaJulkaistu - 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • anisotropic etching
  • atomistic simulation
  • cellular automaton
  • convex corner
  • pit nucleation
  • step propagation
  • surface coverage

Siteeraa tätä