Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Defects in semi-insulating gallium arsenide grown by liquid encapsulated Czochralski and vertical gradient freeze techniques

  • E. Prieur
  • , M. Karilahti
  • , T. Koljonen
  • , T. Tuomi
  • , M. Tuominen
  • , M. Tilli

    Tutkimustuotos: Työpaperi › Working paper › Professional

    AlkuperäiskieliEnglanti
    JulkaisupaikkaEspoo
    Sivut50-51
    TilaJulkaistu - 1994
    OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistu kehittämis- tai tutkimusraportti taikka -selvitys

    Julkaisusarja

    NimiOptoelectronics Laboratory, Annual Report 1993
    KustantajaTKK
    NumeroTKK-F-C160

    Tutkimusalat

    • synchrotron x-ray topography, defects, gallium arsenide

    Siteeraa tätä