Defects in semi-insulating gallium arsenide grown by liquid encapsulated Czochralski and vertical gradient freeze techniques

E. Prieur, M. Karilahti, T. Koljonen, T. Tuomi, M. Tuominen, M. Tilli

    Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

    AlkuperäiskieliEnglanti
    JulkaisupaikkaEspoo
    Sivut50-51
    TilaJulkaistu - 1994
    OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

    Julkaisusarja

    NimiOptoelectronics Laboratory, Annual Report 1993
    KustantajaTKK
    NumeroTKK-F-C160

    Tutkimusalat

    • synchrotron x-ray topography, defects, gallium arsenide

    Siteeraa tätä