Defect structure of a free standing GaN wafer grown by the ammonothermal method

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • SixPoint Materials Inc.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut72-77
Sivumäärä6
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta406
TilaJulkaistu - 15 marraskuuta 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • Defects, Growth from solutions, Nitrides, Single crystal growth, X-ray diffraction, X-ray topography

ID: 750109