Defect structure of a free standing GaN wafer grown by the ammonothermal method

Sakari Sintonen, Sami Suihkonen, Henri Jussila, Harri Lipsanen, Turkka O. Tuomi, Edward Letts, Sierra Hoff, Tadao Hashimoto

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

8 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut72-77
Sivumäärä6
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta406
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 15 marraskuuta 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • Defects
  • Growth from solutions
  • Nitrides
  • Single crystal growth
  • X-ray diffraction
  • X-ray topography

Siteeraa tätä