Defect formation and annealing behavior of InP implanted by low energy 15N ions

Eero Rauhala; Tommy Ahlgren; Kyösti Väkeväinen; J. Räisänen; J. Keinonen; Kimmo Saarinen; T. Laine; Jari Likonen

Defect formation and annealing behavior of InP implanted by low energy 15N ions

Eero Rauhala, Tommy Ahlgren, Kyösti Väkeväinen, J. Räisänen, J. Keinonen, Kimmo Saarinen, T. Laine, Jari Likonen

Teknillisen fysiikan laitos

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

11 Sitaatiot (Scopus)

Alkuperäiskieli	Englanti
Julkaisu	Journal of Applied Physics
Vuosikerta	83
Tila	Julkaistu - 1998
OKM-julkaisutyyppi	A1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

SFX-saatavuus

Koko teksti

Siteeraa tätä

@article{43feb4958976453a9b6682404e38d117,

title = "Defect formation and annealing behavior of InP implanted by low energy 15N ions",

author = "Eero Rauhala and Tommy Ahlgren and Ky{\"o}sti V{\"a}kev{\"a}inen and J. R{\"a}is{\"a}nen and J. Keinonen and Kimmo Saarinen and T. Laine and Jari Likonen",

year = "1998",

language = "English",

volume = "83",

journal = "Journal of Applied Physics",

issn = "0021-8979",

publisher = "American Institute of Physics",

}

TY - JOUR

T1 - Defect formation and annealing behavior of InP implanted by low energy 15N ions

AU - Rauhala, Eero

AU - Ahlgren, Tommy

AU - Väkeväinen, Kyösti

AU - Räisänen, J.

AU - Keinonen, J.

AU - Saarinen, Kimmo

AU - Laine, T.

AU - Likonen, Jari

PY - 1998

Y1 - 1998

M3 - Article

VL - 83

JO - Journal of Applied Physics

JF - Journal of Applied Physics

SN - 0021-8979

ER -