Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Defect evolution in 4H-SiC sublimation epi-layers grown on LPE buffers with reduced micropipe density

  • S. Hasenöhrl
  • , R. Kudela
  • , J. Novak
  • , T.O. Tuomi
  • , L. Knuuttila

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut00-00
    JulkaisuMaterials Research Society Symposia Proceedings
    Numero00
    TilaJulkaistu - 2002
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Tutkimusalat

    • semiconductors
    • synchrotron X-ray topography

    Siteeraa tätä