Crystalline imperfections in 4H SiC grown with a seeded Lely method

M. Tuominen, R. Yakimova, R.C. Glass, T. Tuomi, E. Janzen

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    44 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut267-276
    JulkaisuJournal of Crystal Growth
    Numero144
    TilaJulkaistu - 1994
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • imperfections
    • silicon carbide

    Siteeraa tätä