Crystal defects and strain of epitaxial InP layers laterally overgrown on Si

A. Lankinen, T. Tuomi, M. Karilahti, Z.R. Zytkiewics, J.Z. Domagala, P.J. McNally, F. Sun, F. Olsson, S. Lourdudoss

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    11 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut10996
    JulkaisuCrystal Growth & Design
    Vuosikerta6
    TilaJulkaistu - 2006
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Siteeraa tätä