Correlating integrated circuit process induced strain and defects against device yield and process control monitoring data

M. Karilahti, T. Tuomi, R. Rantamäki, P.J. McNally, A.N. Danilewsky

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoThe 4th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering ICMMN-4, Espoo, Finland, 10-12 June, 2002
    Sivut145-149
    TilaJulkaistu - 2002
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

    Tutkimusalat

    • semiconductors
    • synchrotron x-ray topography

    Siteeraa tätä