Confinement effect in quantum well dot induced by InP stressors.

J. Tulkki, A. Heinämäki

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    101 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut8239-8243
    JulkaisuPhysical Review B
    Numero52
    TilaJulkaistu - 1995
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Tutkimusalat

    • quantum dots, semiconductors

    Siteeraa tätä