Compensation in Be-doped gallium nitride grown using molecular beam epitaxy

Kyoungnae Lee*, B. Vanmil, M. Luo, T. H. Myers, A. Armstrong, S. A. Ringel, M. Rummukainen, K. Saarinen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

2 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

Three techniques to improve beryllium doping in Ga-polar GaN grown by molecular beam epitaxy were investigated: growth under atomic hydrogen, growth under electron irradiation, and growth under an In flux. The samples were characterized by photoluminescence and Hall effect measurements. None of these approaches led to enhanced Be activation. Optical evidence that the Be activation energy may be about 190 meV is presented. Selected samples were also characterized using positron annihilation spectroscopy in an attempt to correlate compensation and PL features with microscopic defects. Positron annihilation spectroscopy (PAS) studies suggest that gallium vacancies and/or gallium vacancy complexes may be related to compensation in beryllium doped gallium nitride samples. There is a correlation between donor-acceptor pair photoluminescence at 3.38eV, beryllium concentration, and yellow-red photoluminescence at 2.0 to 2.1 eV.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoMaterials Research Society Symposium Proceedings
Sivut729-734
Sivumäärä6
TilaJulkaistu - 15 toukokuuta 2006
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaMaterials Research Society Fall Meeting - Boston, Yhdysvallat
Kesto: 28 marraskuuta 20052 joulukuuta 2005

Conference

ConferenceMaterials Research Society Fall Meeting
LyhennettäMRS
MaaYhdysvallat
KaupunkiBoston
Ajanjakso28/11/200502/12/2005

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Compensation in Be-doped gallium nitride grown using molecular beam epitaxy'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä