Comparison of magnetocurrent and transfer ratio in magnetic tunnel transistors with spin-valve bases containing Cu and Au spacer layers

Sebastiaan van Dijken*, Xin Jiang, Stuart S P Parkin

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

31 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

The magnetocurrent (MC) and transfer ratio in magnetic tunnel transistors (MTT) was compared with spin-valve bases containing Cu and Au spacer layers. The importance of interface scattering in MTTs and spin valves was identified. The results showed that the MC of an MTT, which originated from hot-electron transport perpendicular to spin-valve base structure, was similar for Cu and Au spacer layers.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut775-777
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta82
Numero5
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 3 helmikuuta 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Comparison of magnetocurrent and transfer ratio in magnetic tunnel transistors with spin-valve bases containing Cu and Au spacer layers'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä