Comparison of H2 and N2 as carrier gas in MOVPE growth of InGaAsN quantum wells

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut536-539
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta298
TilaJulkaistu - tammikuuta 2007
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 3590903