Comparison of H2 and N2 as carrier gas in MOVPE growth of InGaAsN quantum wells
Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › › vertaisarvioitu
Tutkijat
Organisaatiot
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 536-539 |
Sivumäärä | 4 |
Julkaisu | Journal of Crystal Growth |
Vuosikerta | 298 |
Tila | Julkaistu - tammikuuta 2007 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Julkaistu artikkeli, soviteltu |
ID: 3590903