Comparison of Ge and GaAs substrates for metalorganic vapor phase epitaxy of GaIn(N)As quantum wells

Lauri Knuuttila, Outi Reentila, Marco Mattila, Harri Lipsanen

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    SivutL1475-L1477
    Sivumäärä3
    JulkaisuJapanese Journal of Applied Physics
    Vuosikerta44
    Numero46-49
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2006
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Siteeraa tätä